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M-2000®モデル

ベースになる装置

M-2000シリーズでは、ベースになる装置のタイプを下から選ぶことができます。それぞれのタイプはアプリケーション
ごとに違った良さを兼ね備えています。 


             
    固定入射角         手動入射角        自動入射角          集光             縦型         



波長範囲によるタイプ

M-2000V
波長範囲:370-1000nm、390波長

モデル「V」(Visible)は、分光エリプソメトリーの
優れた技術を体感できる、導入モデルです。
誘電体・有機物・アモルファス半導体に対し
て、 理想的な波長範囲をカバーしています。
QTHランプを使用しているため、維持費用を
抑えることができます。
光学系もよりコンパクトになっており、In-Situ
測定でチャンバーに搭載する際にも便利です。
測定波長範囲(370nmから1000nm)は誘電体
やアモルファス半導体、ポリマーなどの測定に
最適です。

 

 

M-2000U
波長範囲:245-1000nm、470波長

モデル「U」(Ultraviolet)は、誘電体やポリマー、半導体、金属などの測定でIn-SituやEx-Situのどちらの測定でも可能で、様々な用途に適しています。
この測定波長は半導体の臨界点をカバーし、 化合物半導体の混晶比を測定したり制御することができます。
470波長を同時に測定するので、広い膜厚の範囲(サブナノメートルから10ミクロン程度)を解析できます。 

 

M-2000 Spectral Range


M-2000X-210
波長範囲:210-1000nm、490波長

210nmまでUV領域を広げました。
特別な設計により、さらに小さな集光スポットや
In-Situアプリケーションのための高い光強度を
提供します。

 

近赤外域NIRへの拡張
波長範囲:1000-1690nm、200波長

どのタイプのM-2000でも近赤外領域へ拡張
することができます。
長い波長がITOのような透明導電膜 や通信用
薄膜、そして長波長での吸収を示す、SixGel-x
のような半導体評価を可能にします。
またNIRは厚い膜や複雑な多層構造の評価に
おいても好都合です。

 

M-2000D
波長範囲:193-1000nm、500波長

モデル「D」は半導体産業からの様々な要求に
パーフェクトに応える装置です。それぞれのリソ
グラフィーの波長(193nm,248nm,365nm)での
光学定数を測定できます。
広い波長レンジを高速で測定できるため、
屈折率や膜厚の面内分布測定が可能です。
短波長測定は極薄膜の感度を増加させ、
長波長測定はほとんどの材料の膜厚測定に
必要な透明領域を確保できます。

 

 

 

 
   

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